| Ваш IP: 3.145.87.213 | Online(155) - гости: 139, боты: 16 | Загрузка сервера: 2.51 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N282
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2N282

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 16V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 125mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: CSR
  • Корпус: R137
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2N616 Gepnp125mW15V12V10V150mA9MHz25 (min) TO5
AC161 Gepnp150mW15V10V9V100mA1MHz75 (min) TO18
AC161VI Gepnp150mW15V10V9V100mA1MHz75 ... 150TO1
AC161VII Gepnp150mW15V10V9V100mA1MHz125 (min) TO1
ASY56N Gepnp100mW16V10V12V100mA2MHz25 (min) TO1
ASY57N Gepnp100mW16V10V12V100mA4MHz30 (min) TO1
ASY58N Gepnp100mW16V10V12V100mA7MHz40 (min) TO1
ASY59N Gepnp100mW16V10V12V100mA12MHz60 (min) TO1
SFT300 Gepnp150mW18V12V12V100mA2MHz28TO1
SFT307 Gepnp150mW18V12V12V100mA3MHz40TO1
SFT308 Gepnp150mW18V12V12V100mA6MHz70TO1
Просмотров: 2 509 764