| Ваш IP: 18.191.189.124 | Online(52) - гости: 2, боты: 50 | Загрузка сервера: 0.32 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора AF200
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора AF200

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 225mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 0.5 pF
  • Производитель: SIEMENS
  • Корпус: TO72
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SA250 Gepnp180mW20V--10mA20MHz100TO1
AF200U Gepnp225mW25V--10mA100MHz30 (min) TO72
AF201 Gepnp225mW25V--10mA100MHz20 (min) TO72
AF201U Gepnp225mW25V--10mA100MHz20 (min) TO72
Просмотров: 3 092 690