Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора AF192Основные параметры биполярного транзистора AF192
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 15V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 15V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: MISTRAL
- Корпус: TO18
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| GET880 |
Ge | pnp | 120mW | 20V | 15V | 12V | 100mA | 3MHz | 40 (min) | TO5 | | GET887 |
Ge | pnp | 120mW | 20V | 15V | 12V | 100mA | 3MHz | 40 (min) | TO5 | | GET888 |
Ge | pnp | 120mW | 20V | 15V | 12V | 100mA | 3MHz | 75 (min) | TO5 | | GET889 |
Ge | pnp | 120mW | 20V | 15V | 12V | 100mA | 6MHz | 40 (min) | TO5 | | GET890 |
Ge | pnp | 120mW | 20V | 15V | 12V | 100mA | 6MHz | 45 (min) | TO5 | | GET896 |
Ge | pnp | 120mW | 20V | 15V | 12V | 100mA | 2MHz | 60 (min) | TO5 | | SFT300 |
Ge | pnp | 150mW | 18V | 12V | 12V | 100mA | 2MHz | 28 | TO1 | | SFT307 |
Ge | pnp | 150mW | 18V | 12V | 12V | 100mA | 3MHz | 40 | TO1 | | SFT308 |
Ge | pnp | 150mW | 18V | 12V | 12V | 100mA | 6MHz | 70 | TO1 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 115 305