Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора AF190Основные параметры биполярного транзистора AF190
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 18V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: SIEMENS
- Корпус: TO1
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1265 |
Ge | pnp | 100mW | 20V | 10V | 10V | 100mA | 1MHz | 25 ... 90 | TO5 | | 2N1265-5 |
Ge | pnp | 100mW | 20V | 10V | 10V | 100mA | 1MHz | 6 ... 18 | TO5 | | ASY56N |
Ge | pnp | 100mW | 16V | 10V | 12V | 100mA | 2MHz | 25 (min) | TO1 | | ASY57N |
Ge | pnp | 100mW | 16V | 10V | 12V | 100mA | 4MHz | 30 (min) | TO1 | | ASY58N |
Ge | pnp | 100mW | 16V | 10V | 12V | 100mA | 7MHz | 40 (min) | TO1 | | ASY59N |
Ge | pnp | 100mW | 16V | 10V | 12V | 100mA | 12MHz | 60 (min) | TO1 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 115 341