Дата: 4/12/2025 | Время: 1:37:07 PM | Ваш IP: 3.141.190.74 | Online(30) - гости: 15, боты: 15 | Загрузка сервера: 2.29 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2G526
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2G526

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 225mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 15V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 15V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 40 pF
  • Производитель: TADIRAN
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
ACY40 Gepnp260mW32V18V12V500mA1MHz30 (min) TO5
ASY82 Gepnp200mW26V16V12V500mA1MHz60 (min) TO1
ASY83 Gepnp200mW26V16V12V500mA1MHz120 (min) TO1
Просмотров: 3 575 172