| Ваш IP: 18.221.93.167 | Online(80) - гости: 4, боты: 76 | Загрузка сервера: 0.43 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD670H
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2SD670H

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 15A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 8000
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: HITACHI
  • Корпус: TO3
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 111 061