| Ваш IP: 18.219.253.199 | Online(112) - гости: 1, боты: 111 | Загрузка сервера: 0.38 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD669D
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SD669D

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 1W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 180V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1.5A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 160 ... 320
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 14 pF
  • Производитель: HITACHI
  • Корпус: TO126
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SD1420 Sinpn1W180V--1.5A140MHz150 (min) SP0
2SD1421 Sinpn1W180V--1.5A140MHz130 (min) SP0
2SD1579 Sinpn1W150V--1.5A-2500SOT33
2SD1659 Sinpn1W150V--1.5A-10000SOT33
Просмотров: 3 111 417