| Ваш IP: 3.15.31.27 | Online(118) - гости: 3, боты: 115 | Загрузка сервера: 0.36 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD66
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SD66

  • Материал: Ge
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 120mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: HITACHI
  • Корпус: TO18
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SD61 Genpn120mW30V12V10V100mA500KHz30 (min) TO18
2SD62 Genpn120mW30V12V10V100mA500KHz30 (min) TO18
Просмотров: 3 111 492