| Ваш IP: 18.227.0.255 | Online(73) - гости: 2, боты: 71 | Загрузка сервера: 0.29 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD652
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2SD652

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 80W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 500V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 6A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 3000
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: TOSHIBA
  • Корпус: TO66
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2SD1461 Sinpn80W430V--5A-1000TO218
Просмотров: 3 093 987