| Ваш IP: 18.219.253.199 | Online(112) - гости: 1, боты: 111 | Загрузка сервера: 0.38 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD638
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SD638

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 600mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 135°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 ... 340
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 6 pF
  • Производитель: MATSUSHITA
  • Корпус: X73
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N3082 Sinpn500mW25V7V7V600mA100MHz100 (min) TO77-2
2N3083 Sinpn500mW25V7V7V600mA100MHz100 (min) TO77-2
Просмотров: 3 111 419