Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N2392Основные параметры биполярного транзистора 2N2392
- Материал: Si
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 90
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 5 pF
- Производитель: TI
- Корпус: TO50-1
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1643 |
Si | pnp | 250mW | 25V | - | - | 50mA | 350KHz | 10 ... 25 | TO5 | | 2N2238 |
Ge | pnp | 300mW | 30V | - | - | 50mA | 400MHz | 10 (min) | TO5 | | C101 |
Si | pnp | 250mW | 30V | - | ## | 50mA | 400KHz | 9 (min) | TO5 | | C102 |
Si | pnp | 250mW | 30V | - | ## | 50mA | 800KHz | 13 (min) | TO5 | | C112 |
Si | pnp | 250mW | 25V | ## | ## | 50mA | 700KHz | 18 (min) | N/A | | GT81HS |
Ge | pnp | 275mW | 25V | ## | ## | 50mA | ## | 120 (min) | TO5 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 074 316