Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD32Основные параметры биполярного транзистора 2SD32
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 125mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: MATSUSHITA
- Корпус: TO1
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SD61 |
Ge | npn | 120mW | 30V | 12V | 10V | 100mA | 500KHz | 30 (min) | TO18 | | 2SD62 |
Ge | npn | 120mW | 30V | 12V | 10V | 100mA | 500KHz | 30 (min) | TO18 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 110 190