| Ваш IP: 3.144.109.159 | Online(83) - гости: 10, боты: 73 | Загрузка сервера: 1.34 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2G413
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2G413

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 8V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 8V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 25mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 100
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 4 pF
  • Производитель: TI
  • Корпус: TO18
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 071 531