| Ваш IP: 3.142.241.59 | Online(115) - гости: 109, боты: 6 | Загрузка сервера: 0.79 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N2363
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2N2363

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 10 ... 200
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 3 pF
  • Производитель: TI
  • Корпус: TO72
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2N1748 Gepnp60mW25V--50mA10MHz30 ... 150TO9
2N1748A Gepnp60mW25V--50mA10MHz50 (min) TO9
2N1788 Gepnp60mW35V--50mA20MHz50 (min) TO9
2N1789 Gepnp60mW35V--50mA20MHz20 (min) TO9
2N1790 Gepnp60mW35V--50mA20MHz40 (min) TO9
2N1866 Gepnp60mW35V--50mA30MHz40 (min) TO9
2N1867 Gepnp60mW35V--50mA30MHz10 (min) TO9
2N265 Gepnp75mW25V--50mA600KHz115R32
GFT22/30 Gepnp80mW30V####50mA1.3MHz150 (min) TO30
GFT25/30 Gepnp80mW30V####50mA850KHz50 (min) TO5
T1737 Gepnp60mW25V--50mA10MHz50 (min) TO9
T2019 Gepnp60mW25V--50mA10MHz30 ... 150TO9
T2021 Gepnp60mW35V--50mA20MHz50 (min) TO9
T2022 Gepnp60mW35V--50mA20MHz20 (min) TO9
T2023 Gepnp60mW35V--50mA20MHz40 (min) TO9
T2025 Gepnp60mW35V--50mA30MHz40 (min) TO9
T2026 Gepnp60mW35V--50mA30MHz10 (min) TO9
Просмотров: 2 507 442