Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD1980Основные параметры биполярного транзистора 2SD1980
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 10W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 3000
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: SONY
- Корпус: TO218
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC4338 |
Si | npn | 8W | 80V | - | - | 2A | - | 10000 | TO218 | | 2SC4341 |
Si | npn | 10W | 80V | - | - | 2A | - | 10000 | TO126 | | 2SD1639 |
Si | npn | 10W | 100V | - | - | 2.2A | - | 25 (min) | TO5 | | 2SD1640 |
Si | npn | 10W | 120V | - | - | 2A | - | 4000 | TO126 | | 2SD1708 |
Si | npn | 10W | 120V | - | - | 2A | - | 6000 | TO126 | | 2SD1973 |
Si | npn | 10W | 80V | - | - | 2A | - | 1000 | TO126 | |
|
| |
| |
Просмотров: 2 536 388