Дата: 4/13/2025 | Время: 8:29:40 PM | Ваш IP: 3.139.67.194 | Online(29) - гости: 5, боты: 24 | Загрузка сервера: 0.35 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2G386
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2G386

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 55 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 70 pF
  • Производитель: TI
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2N1028 Sipnp250mW18V10V12V100mA3MHz9 (min) TO5
TK35 Gepnp200mW16V10V12V100mA2MHz20 ... 85X18
TK35C Gepnp200mW16N10V12V100mA2MHz20 ... 85X18
TK36 Gepnp200mW16V10V12V100mA4MHz25 ... 110X18
TK36C Gepnp200mW16V10V12V100mA4MHz25 ... 110X18
TK37 Gepnp200mW16V10V12V100mA7MHz30 ... 135X18
TK37C Gepnp200mW16V10V12V100mA7MHz30 ... 135X18
TK38 Gepnp200mW16V10V12V100mA12MHz50 ... 185X18
TK38C Gepnp200mW16V10V12V100mA12MHz50 ... 185X18
Просмотров: 3 575 553