| Ваш IP: 3.139.239.157 | Online(59) - гости: 9, боты: 50 | Загрузка сервера: 0.08 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD1380
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SD1380

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 10W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: SONY
  • Корпус: TO126
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SC4167 Sinpn8W35V--2A520MHz40U29-3
2SD1379 Sinpn10W40V--2A150MHz4000TO126
2SD1871 Sinpn10W40V--2A-40 (min) TO218
40282 Sinpn12W36V--2A175MHz45 (min) TO61
BLU10/12 Sinpn10W36V####2A470MHz25 (min) M111
HEPS9103 Sinpn10W40V####2A300MHz15000SIP
Просмотров: 3 099 782