| Ваш IP: 3.12.146.100 | Online(81) - гости: 18, боты: 63 | Загрузка сервера: 1.44 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2G383
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2G383

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 70 pF
  • Производитель: TI
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
ACY34 Gepnp200mW30V10V10V100mA500KHz20 (min) TO1
Просмотров: 3 071 729