Дата: 4/13/2025 | Время: 10:08:21 AM | Ваш IP: 18.188.87.95 | Online(30) - гости: 9, боты: 21 | Загрузка сервера: 0.57 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2G383
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2G383

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 70 pF
  • Производитель: TI
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
ACY34 Gepnp200mW30V10V10V100mA500KHz20 (min) TO1
Просмотров: 3 575 360