Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD1185Основные параметры биполярного транзистора 2SD1185
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 1200V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 5A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: HITACHI
- Корпус: TO3
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC3342 |
Si | npn | 50W | 1300V | - | - | 5A | - | 10 ... 40 | TO3 | | 2SC3343 |
Si | npn | 50W | 1200V | - | - | 5A | - | 10 ... 60 | TO3 | | 2SC3387 |
Si | npn | 50W | 1200V | - | - | 5A | - | 50 (min) | TO218 | | 2SC3388 |
Si | npn | 50W | 1200V | - | - | 5A | - | 45 (min) | TO3 | | 2SC3491 |
Si | npn | 60W | 1000V | - | - | 4A | - | 80 | TO220 | | 2SD1099 |
Si | npn | 50W | 1200V | - | - | 5A | - | 120 | TO3 | | 2SD1102 |
Si | npn | 50W | 1200V | - | - | 4A | - | 100 | TO3 | | 2SD1103 |
Si | npn | 50W | 1200V | - | - | 5A | - | 100 | TO3 | | 2SD1104 |
Si | npn | 50W | 1200V | - | - | 6A | - | 100 | TO3 | | 2SD1389 |
Si | npn | 50W | 1200V | - | - | 6A | - | 15 (min) | TO3 | | 2SD1549 |
Si | npn | 50W | 1000V | - | - | 5A | - | 12 (min) | TO218 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 107 710