| Ваш IP: 3.145.33.82 | Online(133) - гости: 114, боты: 19 | Загрузка сервера: 1.5 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD1100
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2SD1100

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 900mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 400
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: HITACHI
  • Корпус: TO92
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2SD1489 Sinpn750mW20V--2A-280TO92
2SD1513 Sinpn750mW20V--2A200MHz350TO92
Просмотров: 2 535 834