Дата: 4/10/2025 | Время: 9:32:28 AM
| Ваш IP: 18.118.24.69 | Online(31) - гости: 12, боты: 19 | Загрузка сервера: 0.76 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2G376
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры биполярного транзистора 2G376
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 40 pF
- Производитель: TI
- Корпус: TO1
- Найти datasheet
|
|
|
Просмотров: 3 574 434