| Ваш IP: 18.225.195.153 | Online(78) - гости: 15, боты: 63 | Загрузка сервера: 0.57 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2G339
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2G339

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 150
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: TI
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 071 120