| Ваш IP: 3.128.226.85 | Online(78) - гости: 57, боты: 21 | Загрузка сервера: 1.69 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SC3326-B
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SC3326-B

  • Материал: Si
  • Структура: npn
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 25V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 25V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 350 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 7 pF
  • Производитель: TOSHIBA
  • Корпус: TO236
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SC3326 Sinpn150mW50V20V25V300mA30MHz200 (min) TO236
2SC3326-A Sinpn150mW50V20V25V300mA30MHz200 (min) TO236
Просмотров: 2 534 214