Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SC3080Основные параметры биполярного транзистора 2SC3080
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.1GHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 90
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: FUJITSU
- Корпус: X73
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC2672 |
Si | npn | 250mW | 25V | - | - | 50mA | 3GHz | 120 | TO131 | | 2SC3081 |
Si | npn | 300mW | 30V | - | - | 50mA | 1.1GHz | 100 (min) | TO92 | | 2SC3082 |
Si | npn | 300mW | 30V | - | - | 50mA | 1.1GHz | 120 | SP0 | | 2SC3354 |
Si | npn | 300mW | 30V | - | - | 50mA | 1.2GHz | 35 (min) | X73 | | 2SC3544 |
Si | npn | 250mW | 30V | - | - | 50mA | 2GHz | 40 ... 80 | TO92 | | 2SC3545 |
Si | npn | 250mW | 30V | - | - | 50mA | 2GHz | 100 (min) | TO236 | | 2SC3837 |
Si | npn | 280mW | 30V | - | - | 50mA | 1.5GHz | 40 ... 120 | TO236 | | 2SC4014 |
Si | npn | 300mW | 30V | - | - | 50mA | 100MHz | 30 ... 250 | X73 | | 2SC4041 |
Si | npn | 300mW | 30V | - | - | 50mA | 1.1GHz | 200 (min) | X73 | | 2SD1424 |
Si | npn | 300mW | 30V | - | - | 50mA | - | 1000 | SOT33 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 073 840