| Ваш IP: 18.116.85.108 | Online(62) - гости: 15, боты: 47 | Загрузка сервера: 1.89 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2G202
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2G202

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 140mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 16V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 18 pF
  • Производитель: STE
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
AC161 Gepnp150mW15V10V9V100mA1MHz75 (min) TO18
AC161VI Gepnp150mW15V10V9V100mA1MHz75 ... 150TO1
AC161VII Gepnp150mW15V10V9V100mA1MHz125 (min) TO1
SFT300 Gepnp150mW18V12V12V100mA2MHz28TO1
SFT307 Gepnp150mW18V12V12V100mA3MHz40TO1
SFT308 Gepnp150mW18V12V12V100mA6MHz70TO1
Просмотров: 3 071 181