Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2G202Основные параметры биполярного транзистора 2G202
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 140mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 16V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 18 pF
- Производитель: STE
- Корпус: TO1
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | КорпусAC161 |
Ge | pnp | 150mW | 15V | 10V | 9V | 100mA | 1MHz | 75 (min) | TO18 | AC161VI |
Ge | pnp | 150mW | 15V | 10V | 9V | 100mA | 1MHz | 75 ... 150 | TO1 | AC161VII |
Ge | pnp | 150mW | 15V | 10V | 9V | 100mA | 1MHz | 125 (min) | TO1 | SFT300 |
Ge | pnp | 150mW | 18V | 12V | 12V | 100mA | 2MHz | 28 | TO1 | SFT307 |
Ge | pnp | 150mW | 18V | 12V | 12V | 100mA | 3MHz | 40 | TO1 | SFT308 |
Ge | pnp | 150mW | 18V | 12V | 12V | 100mA | 6MHz | 70 | TO1 | |
|
|
| |
Просмотров: 3 071 181