Дата: 4/10/2025 | Время: 12:04:55 AM
| Ваш IP: 3.133.94.82 | Online(12) - гости: 1, боты: 10 | Загрузка сервера: 0.55 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2G110
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
|
Основные параметры биполярного транзистора 2G110
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 140mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 18V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 5 pF
- Производитель: TI
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
|
|
|
Просмотров: 3 574 275