Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SC1981SОсновные параметры биполярного транзистора 2SC1981S
- Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 300mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 50V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 30V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 30V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 125°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 500 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
- Производитель: SONY
- Корпус: TO18
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC1981 |
Si | npn | 300mW | 50V | 30V | 30V | 100mA | 15MHz | 500 (min) | TO18 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 098 502