| Ваш IP: 3.147.78.242 | Online(111) - гости: 65, боты: 45 | Загрузка сервера: 0.75 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2N175
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2N175

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 20mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 2mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 65
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 36 pF
  • Производитель: CSR
  • Корпус: TO40
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2N220 Gepnp20mW10V10V10V2mA400KHz65TO1
Просмотров: 3 073 217