Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB99Основные параметры биполярного транзистора 2SB99
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 120
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 50 pF
- Производитель: TOSHIBA
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N2613 |
Ge | pnp | 120mW | 30V | - | - | 50mA | 4MHz | 120 (min) | TO1 | | 2N3283 |
Ge | pnp | 100mW | 25V | - | - | 50mA | 250MHz | 10 (min) | TO72 | | 2N3284 |
Ge | pnp | 100mW | 25V | - | - | 50mA | 250MHz | 10 (min) | TO72 | | 2S38 |
Ge | pnp | 150mW | 25V | - | - | 50mA | - | 70 | TO40 | | GT81 |
Ge | pnp | 150mW | 25V | ## | ## | 50mA | ## | 75 (min) | TO5 | | GT82 |
Ge | pnp | 150mW | 25V | ## | ## | 50mA | ## | 150 (min) | TO5 | | GT83 |
Ge | pnp | 150mW | 25V | ## | ## | 50mA | 1MHz | 42 (min) | TO5 | | GT87 |
Ge | pnp | 150mW | 25V | ## | ## | 50mA | 700KHz | 28 (min) | TO5 | | GT88 |
Ge | pnp | 150mW | 25V | ## | ## | 50mA | 15MHz | 80 (min) | TO5 | |
|
| |
| |
Просмотров: 2 508 994