| Ваш IP: 3.14.250.187 | Online(107) - гости: 18, боты: 89 | Загрузка сервера: 0.36 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB850
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2SB850

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 40V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 7V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 7V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 340 pF
  • Производитель: NEC
  • Корпус: TO218
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 095 006