Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB835Основные параметры биполярного транзистора 2SB835
- Материал: Si
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 500mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 5V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 5V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 135°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 90 ... 360
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 40 pF
- Производитель: MATSUSHITA
- Корпус: SOT33
- Найти datasheet
| |
| |
Просмотров: 3 095 209