Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB70Основные параметры биполярного транзистора 2SB70
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 125mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 15 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: HITACHI
- Корпус: TO1
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| OC70N |
Ge | pnp | 125mW | 30V | 10V | 10V | 10mA | 200KHz | 20 (min) | TO1 | | OC71N |
Ge | pnp | 125mW | 30V | 10V | 10V | 10mA | 200KHz | 30 (min) | TO1 | | OC75N |
Ge | pnp | 125mW | 30V | 10V | 10V | 10mA | 200KHz | 60 (min) | TO1 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 094 218