| Ваш IP: 3.144.8.79 | Online(61) - гости: 7, боты: 54 | Загрузка сервера: 0.35 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB653
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB653

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 60W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 120V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 7A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 35 ... 200
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: HITACHI
  • Корпус: TO3
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
BDV50 Sipnp62.5W100V--8A3MHz750 (min) TO220
KD650 Sipnp60W100V##-8A-750 (min) TO3
Просмотров: 3 093 941