Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB65Основные параметры биполярного транзистора 2SB65
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 65
- Емкость коллекторного перехода (Cc): 70 pF
- Производитель: FUJITSU
- Корпус: TO1
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N584 |
Ge | pnp | 120mW | 25V | 14V | 12V | 100mA | 8MHz | 40 (min) | TO1 | | TA1697 |
Ge | pnp | 120mW | 25V | 14V | 12V | 100mA | 8MHz | 40 (min) | TO1 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 094 234