| Ваш IP: 3.135.193.193 | Online(57) - гости: 7, боты: 50 | Загрузка сервера: 0.51 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB649A
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB649A

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 20W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 180V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1.5A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60 ... 200
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 27 pF
  • Производитель: HITACHI
  • Корпус: TO126
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SA1178 Sipnp20W150V--1A200MHz80 (min) TO126
2SA1332 Sipnp20W160V--1.5A200MHz80 (min) TO218
Просмотров: 3 093 927