| Ваш IP: 3.141.35.27 | Online(92) - гости: 40, боты: 52 | Загрузка сервера: 0.22 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB503A
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB503A

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 25W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 3A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 280
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 350 pF
  • Производитель: TOSHIBA
  • Корпус: TO66
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 093 662