| Ваш IP: 18.221.12.61 | Online(93) - гости: 46, боты: 47 | Загрузка сервера: 0.53 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB502
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB502

  • Материал: Si
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 20W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 3A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 400 pF
  • Производитель: TOSHIBA
  • Корпус: TO66
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 093 730