| Ваш IP: 18.118.19.123 | Online(41) - гости: 4, боты: 37 | Загрузка сервера: 0.16 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB50
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB50

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 140mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 16V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 65°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 130
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): 40 pF
  • Производитель: SONY
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N2621 Gepnp150mW15V--100mA13MHz15 (min) TO5
2N2624 Gepnp150mW15V--100mA13MHz15 (min) TO5
2N2627 Gepnp150mW15V--100mA13MHz15 (min) TO5
2SB48 Gepnp140mW16V--100mA1MHz42TO5
2SB49 Gepnp140mW16V--100mA1.2MHz83TO5
GT5116 Gepnp120mW15V####100mA20MHz20 (min) TO9
HSE1300 Gepnp150mW13V####100mA##20 (min) TO5
Просмотров: 3 072 481