| Ваш IP: 18.219.200.21 | Online(50) - гости: 27, боты: 23 | Загрузка сервера: 1.55 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB444H
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2SB444H

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 18V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 200
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: HITACHI
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2SB443 Gepnp100mW18V12V12V10mA1MHz60TO1
2SB443A Gepnp100mW18V12V12V10mA1.2MHz110TO1
2SB443B Gepnp100mW18V12V12V10mA1.5MHz190TO1
2SB444 Gepnp100mW18V12V12V10mA3MHz150TO1
2SB444A Gepnp100mW18V12V12V10mA1MHz120TO1
2SB444B Gepnp100mW18V12V12V10mA1MHz200TO1
OC44 Gepnp83mW15V12V12V10mA8MHz100X01
Просмотров: 2 509 419