| Ваш IP: 18.119.115.113 | Online(73) - гости: 55, боты: 18 | Загрузка сервера: 4.14 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB433
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB433

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 56W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 70V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 40V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 40V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 15A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 120
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: FUJITSU
  • Корпус: TO36
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SB483 Gepnp60W80V45V40V15A-50 (min) TO3
Просмотров: 2 525 602