| Ваш IP: 18.188.96.17 | Online(46) - гости: 2, боты: 44 | Загрузка сервера: 0.29 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB416
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
Основные параметры биполярного транзистора 2SB416

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 13V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 13V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 150mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: TOSHIBA
  • Корпус: TO5
  • Найти datasheet
Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбIкfthfeКорпус
2N270 Gepnp150mW25V12V12V150mA300KHz70R27
SFT151 Gepnp150mW24V12V12V150mA300KHz30X01
SFT152 Gepnp150mW24V12V12V150mA300KHz50X01
SFT153 Gepnp150mW24V12V12V150mA300KHz80X01
TA1575 Gepnp150mW25V12V12V150mA300KHz70R27
Просмотров: 3 092 969