| Ваш IP: 18.119.125.252 | Online(78) - гости: 59, боты: 19 | Загрузка сервера: 2.61 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB386
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB386

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 15V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 15V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 80
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: SONY
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2N1093 Gepnp150mW30V15V15V250mA4MHz50 ... 150TO5
SFT121 Gepnp150mW24V12V12V250mA200KHz30X01
SFT122 Gepnp150mW24V12V12V250mA200KHz50X01
SFT123 Gepnp150mW24V12V12V250mA200KHz80X01
SFT126 Gepnp150mW24V15V12V250mA3MHz40TO5
SFT127 Gepnp150mW24V15V12V250mA5MHz50TO5
SFT128 Gepnp150mW24V15V12V250mA7MHz60TO5
Просмотров: 2 525 821