| Ваш IP: 3.145.57.16 | Online(77) - гости: 60, боты: 17 | Загрузка сервера: 1.63 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB367H
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB367H

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 4W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 12V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 12V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 1A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): -
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50 ... 80
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: TOSHIBA
  • Корпус: TO3
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 2 525 834