| Ваш IP: 18.221.113.70 | Online(66) - гости: 47, боты: 19 | Загрузка сервера: 2.57 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB354
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB354

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 70W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 60V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 60V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 15A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 90°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 150
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: FUJITSU
  • Корпус: TO36
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SB334 Gepnp80W100V65V60V15A125KHz25 ... 50TO36
2SB334H Gepnp80W100V65V60V15A125KHz25 ... 50TO36
2SB354A Gepnp70W100V60V60V15A150KHz30 ... 150TO36
Просмотров: 2 512 390