| Ваш IP: 18.117.77.84 | Online(36) - гости: 34, боты: 2 | Загрузка сервера: 0.45 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB335
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB335

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 83mW
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 10V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 10V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 60mA
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400KHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 70
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: MATSUSHITA
  • Корпус: TO1
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Похожие по параметрам:
Транз.Матер.Струк.PkUкбUкэUэбfthfeКорпус
2SB336 Gepnp83mW20V12V10V60mA400KHz80TO1
OC602 Gepnp80mW22V12V10V50mA300KHz20 ... 50X01
OC603 Gepnp80mW22V12V10V50mA250KHz20 ... 150X01
OC604 Gepnp80mW22V12V10V50mA300KHz50 ... 150X01
Просмотров: 2 507 229