Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB327Основные параметры биполярного транзистора 2SB327
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 225mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 15V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 15V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 65
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: FUJITSU
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | КорпусACY40 |
Ge | pnp | 260mW | 32V | 18V | 12V | 500mA | 1MHz | 30 (min) | TO5 | ASY82 |
Ge | pnp | 200mW | 26V | 16V | 12V | 500mA | 1MHz | 60 (min) | TO1 | ASY83 |
Ge | pnp | 200mW | 26V | 16V | 12V | 500mA | 1MHz | 120 (min) | TO1 | |
|
|
| |
Просмотров: 3 092 786