| Ваш IP: 3.145.110.99 | Online(57) - гости: 3, боты: 54 | Загрузка сервера: 0.45 ::::::::::::
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB320
Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику

Основные параметры биполярного транзистора 2SB320

  • Материал: Ge
  • Структура: pnp
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 50W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 2V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 2V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 10A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 ... 200
  • Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  • Производитель: FUJITSU
  • Корпус: TO3
  • Найти datasheet

Поиск по параметрам:
Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска.
Пустые поля будут игнорироваться при поиске.

Струк.Pк max (W)Uкб (V)Uкэ (V)Uэб (V)Iк (A)ft (MHz)Разброс поискаПоказывать по
Просмотров: 3 092 715