Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB306AОсновные параметры биполярного транзистора 2SB306A
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 75mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 50V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 50V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 20mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 50
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: FUJITSU
- Корпус: TO5
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SB205 |
Ge | pnp | 80W | 80V | 60V | 40V | 20A | 100KHz | 20 ... 40 | TO3 | | 2SB211 |
Ge | pnp | 80W | 80V | 60V | 40V | 20A | 100KHz | 20 ... 40 | TO3 | |
|
| |
| |
Просмотров: 3 092 694