Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB299Основные параметры биполярного транзистора 2SB299
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 18V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 250mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 500KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 65
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: FUJITSU
- Корпус: TO1
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N1287 |
Ge | pnp | 160mW | 20V | - | - | 300mA | 500KHz | 40 | TO33-1 | | 2N1287A |
Ge | pnp | 160mW | 20V | - | - | 300mA | 500KHz | 60 | TO33-1 | | GFT31/15 |
Ge | pnp | 125mW | 15V | ## | ## | 300mA | 400KHz | 30 (min) | TO30 | | GFT32 |
Ge | pnp | 125mW | 15V | ## | ## | 300mA | 500KHz | 30 (min) | TO30 | | GFT32/15 |
Ge | pnp | 125mW | 15V | ## | ## | 300mA | 500KHz | 30 (min) | CAN | | GFT34 |
Ge | pnp | 125mW | 15V | ## | ## | 300mA | 600KHz | 70 (min) | TO30 | | GFT34/15 |
Ge | pnp | 125mW | 15V | ## | ## | 300mA | 600KHz | 70 (min) | CAN | |
|
| |
| |
Просмотров: 2 526 216