Онлайн справочник - Биполярные транзисторы
Поиск по справочнику
rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SB295Основные параметры биполярного транзистора 2SB295
- Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 40W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 40V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 40V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 5A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200KHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 120
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: FUJITSU
- Корпус: TO3
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус2N1971 |
Ge | pnp | 38W | 80V | 40V | 40V | 4A | 170KHz | 25 (min) | TO3 | 2N553 |
Ge | pnp | 35W | 80V | 40V | 40V | 4A | 400KHz | 40 ... 80 | TO3 | 2SB128 |
Ge | pnp | 40W | 80V | 40V | 40V | 6A | 60KHz | 15 ... 35 | TO3 | 2SB129 |
Ge | pnp | 40W | 80V | 40V | 40V | 6A | 60KHz | 30 ... 80 | TO3 | |
|
|
| |
Просмотров: 3 092 710